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SDP8436
硅光电晶体管
电气特性 （除非另有说明，否则为 25 ° C）
参数
符号
最小值
典型值
最大值
单位
测试条件
光电流
I L
mA
V CE =5 V
SDP8436-001
SDP8436-002
SDP8436-003
SDP8436-004
0.50
4.00
7.00
12.5
10.0
17.5
H=1mW/cm 2 (1)
集电极暗电流
集电极-发射极击穿电压
发射极-集电极击穿电压
集电极-发射级饱和电压
I CEO
V (BR) CEO
V (BR) ECO
V CE (SAT)
30
5.0
100
0.4
nA
V
V
V
V CE =15 V，H=0
I C =100 μA
I E =100 μA
I C =0.1 mA
H=1 mW/cm 2
角响应
(2)
?
18
degr.
I F = 常数
上升和下降时间
t r ，t f
15
μs
V CC =5 V，I L =1 mA
R L =1000 Ω
注意
1. 辐射源是一个峰值波长为 880 nm 的 IRED。
2. 角响应是指具有一半灵敏度的点之间的总夹角。
绝对最大额定值
（除非另有说明，否则一般指 25 ° C 大气温度）
原理图
集电极
集电极-发射极电压
发射极-集电极电压
功耗
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度（5 秒）
30 V
5 V
100 mW (1)
-40 ° C 至 85 ° C
-40 ° C 至 85 ° C
240 ° C
注意
1. 25 ° C 以上大气温度，按 0.78 mW/ ° C 的速率线性额定值。
发射极
霍尼韦尔保留对产品进行变更的权利，
以便改善设计，并提供最佳产品。
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