SDP8436-004【PDF 2/4 页】PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1

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SDP8436

硅光电晶体管

电气特性（除非另有说明，否则为 25 ° C）

参数

符号

最小值

典型值

最大值

单位

测试条件

光电流

I L

V CE =5 V

SDP8436-001

SDP8436-002

SDP8436-003

SDP8436-004

0.50

4.00

7.00

12.5

10.0

17.5

H=1mW/cm 2 (1)

集电极暗电流

集电极-发射极击穿电压

发射极-集电极击穿电压

集电极-发射级饱和电压

I CEO

V (BR) CEO

V (BR) ECO

V CE (SAT)

5.0

100

0.4

V CE =15 V，H=0

I C =100 μA

I E =100 μA

I C =0.1 mA

H=1 mW/cm 2

角响应

(2)

degr.

I F = 常数

上升和下降时间

t r ，t f

μs

V CC =5 V，I L =1 mA

R L =1000 Ω

注意

1. 辐射源是一个峰值波长为 880 nm 的 IRED。

2. 角响应是指具有一半灵敏度的点之间的总夹角。

绝对最大额定值

（除非另有说明，否则一般指 25 ° C 大气温度）

原理图

集电极

集电极-发射极电压

发射极-集电极电压

功耗

工作温度范围

存储温度范围

焊接温度（5 秒）

30 V

5 V

100 mW (1)

-40 ° C 至 85 ° C

240 ° C

注意

1. 25 ° C 以上大气温度，按 0.78 mW/ ° C 的速率线性额定值。

发射极

霍尼韦尔保留对产品进行变更的权利，

以便改善设计，并提供最佳产品。

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